- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 13/28 - Commande ou régulation
Détention brevets de la classe C30B 13/28
Brevets de cette classe: 44
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3677 |
8 |
Siltronic AG | 395 |
5 |
ZHEJIANG JINGSHENG M & e CO., LTD | 16 |
3 |
Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1584 |
2 |
Sumco Corporation | 1116 |
2 |
Tianjin Huanou Semiconductor Material Technology Co., Ltd | 2 |
2 |
Resonest Corporation | 4 |
2 |
General Electric Company | 18133 |
1 |
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1282 |
1 |
Massachusetts Institute of Technology | 9795 |
1 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
1 |
Georgia Tech Research Corporation | 2453 |
1 |
Carnegie Mellon University | 1405 |
1 |
Crystal Systems Corporation | 16 |
1 |
CTG Advanced Materials, LLC | 2 |
1 |
Forschungsverbund Berlin e.V. | 194 |
1 |
Hellma Materials GmbH & Co. KG | 19 |
1 |
Korea Basic Science Institute | 310 |
1 |
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1277 |
1 |
Soitec | 892 |
1 |
Autres propriétaires | 7 |